星空
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當前，隨著半導體(ti) 技術不斷微縮，先進的集成電路器件已從(cong) 平麵向三維結構轉變，集成電路製造工藝正變得越來越複雜，往往需要經過幾百甚至上千道的工藝步驟。對於(yu) 先進的半導體(ti) 器件製造，每經過一道工藝，矽片表麵都會(hui) 或多或少的存在顆粒汙染物、金屬殘留或有機物殘留等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結構的日益複雜性，使得半導體(ti) 器件對顆粒汙染、雜質濃度和數量越來越敏感。
對矽晶元上掩模表麵的汙染微粒的清洗技術提出了更高的要求，其關(guan) 鍵點在於(yu) 克服汙染微顆粒與(yu) 基材之間極大的吸附力，目前很多半導體(ti) 廠家的清洗方式都是酸洗、人工擦拭，效率慢不說，還會(hui) 產(chan) 生二次汙染。那目前什麽(me) 樣的清洗方式比較適合在半導體(ti) 產(chan) 品上的清洗呢?激光清洗是目前來說比較合適的一種方式，當激光掃描過去，材料表麵的汙垢都被清除，而且對於(yu) 縫隙中的汙垢都可以輕鬆得去除，不會(hui) 刮花材料表麵，也不會(hui) 產(chan) 生二次汙染，是一種放心的選擇。
另外，隨著集成電路器件尺寸持續縮小，清洗工藝過程中的材料損失和表麵粗糙度成為(wei) 必須關(guan) 注的問題，將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷(shang) 是最基本的要求，激光清洗技術具有非接觸性、無熱效應，不會(hui) 對被清洗物體(ti) 產(chan) 生表麵損壞，且不會(hui) 產(chan) 生二次汙染等傳(chuan) 統清洗方法所無法比擬的優(you) 勢，是解決(jue) 半導體(ti) 器件汙染最佳的清洗方法。
